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碳化硅晶體的高溫退火處理

碳化硅SiC晶體生長(zhǎng)較常見(jiàn)，較成熟的方法仍然是物理氣相輸運(yùn)法（PVT），該方法是一種氣相生長(zhǎng)方法，生長(zhǎng)溫度高，對(duì)原材料以及工藝參數(shù)等都有很高的要求。近年來(lái)，國(guó)內(nèi)外對(duì)PVT工藝的開(kāi)發(fā)投入了大量的時(shí)間和精力，SiC晶體的質(zhì)量和尺寸等方面有了很大的突破和提高，但是晶體中仍然存在組織缺陷和微觀應(yīng)力。組織缺陷的存在會(huì)惡化SiC基器件的性能，從而影響器件的應(yīng)用，而應(yīng)力的存在則會(huì)使得SiC晶體在加工階段容易碎裂，從而降低SiC晶片的成品率。因此，降低SiC晶體中存在的組織缺陷和微觀應(yīng)力就顯...

第三代半導(dǎo)體材料之碳化硅

碳化硅SiC是一種由硅﹙Si﹚與碳﹙C﹚以共價(jià)鍵為主結(jié)合而成的化合物，其基本單元為Si-C四面體，其中Si原子位于中心，周?chē)鸀镃原子。SiC所有的結(jié)構(gòu)均由Si-C四面體以不同的堆積方式構(gòu)成。目前已發(fā)現(xiàn)的碳化硅同質(zhì)異型晶體結(jié)構(gòu)有200多種，其中六方結(jié)構(gòu)的4H型SiC（4H-SiC）具有高臨界擊穿電場(chǎng)、高電子遷移率的優(yōu)勢(shì)，是制造高壓、高溫、抗輻照功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)良半導(dǎo)體材料，也是目前綜合性能好、商品化程度高、技術(shù)成熟的第三代半導(dǎo)體材料，它具有：（1）臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度是硅材料近1...

ITO靶材常壓燒結(jié)工藝進(jìn)展

20世紀(jì)90年代初興起了一種新的靶材燒結(jié)方法-常壓燒結(jié)法，它是指在一定氣氛和溫度條件下對(duì)ITO靶材的素坯進(jìn)行燒結(jié)，通過(guò)對(duì)燒結(jié)過(guò)程中各因素的控制，來(lái)有效控制ITO素坯晶粒的生長(zhǎng)，從而達(dá)到靶材的晶粒分布均勻性及高致密化，該方法對(duì)粉末的燒結(jié)活性和靶材變形的控制都有很高的要求。通常靶材尺寸越大，濺射到平板上的拼縫就越少，價(jià)值也越高。國(guó)外可以做寬1200毫米、長(zhǎng)近3000毫米的單塊靶材，國(guó)內(nèi)只能制造不超過(guò)800毫米寬的。日企ITO制備工藝1.日本東曹公司日本東曹公司的的技術(shù)方案中，將粒...

ITO靶材燒結(jié)工藝

ITO（氧化銦錫）是制備ITO導(dǎo)電玻璃的重要原料。ITO靶材經(jīng)濺射后可在玻璃上形成透明ITO導(dǎo)電薄膜，其性能是決定導(dǎo)電玻璃產(chǎn)品質(zhì)量、生產(chǎn)效率、成品率的關(guān)鍵因素。ITO靶材性能的重要指標(biāo)是成分、相結(jié)構(gòu)和密度，ITO濺射靶材的成分為In2O3+SnO2，氧化銦與氧化錫成分配比通常為90:10（質(zhì)量比），在ITO靶材的生產(chǎn)過(guò)程中必須嚴(yán)格控制化學(xué)氧含量及雜質(zhì)含量，以確保靶材純度。ITO靶材制備流程ITO靶材的成型工藝制備出成分均勻、致密度較高的初坯，對(duì)經(jīng)過(guò)低溫?zé)崦撝蜔Y(jié)后工藝處理得...

熱處理前景怎么樣？聽(tīng)聽(tīng)管式爐廠(chǎng)家上海皓越怎么說(shuō)

隨著鋼鐵、機(jī)械、化工等重化工業(yè)逐漸向發(fā)展中國(guó)家轉(zhuǎn)移，熱處理對(duì)中國(guó)制造業(yè)的振興和發(fā)展具有重要的支撐作用，而制造業(yè)的發(fā)展也必將帶動(dòng)中國(guó)熱處理行業(yè)的快速發(fā)展，為中國(guó)熱處理行業(yè)的發(fā)展提供廣闊的發(fā)展空間，行業(yè)的發(fā)展前景廣闊。不過(guò)，管式爐廠(chǎng)家上海皓越覺(jué)得，雖然中國(guó)熱處理行業(yè)發(fā)展迅猛、前景廣闊，但面對(duì)著新產(chǎn)品不斷開(kāi)發(fā)、老產(chǎn)品更新?lián)Q代的快速發(fā)展形勢(shì)，雖然目前我國(guó)熱處理企業(yè)的生產(chǎn)裝備可以滿(mǎn)足生產(chǎn)需求，但熱處理行業(yè)有的“專(zhuān)、精、特”企業(yè)群體尚未形成，專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員短缺，新技術(shù)的推廣應(yīng)用困難；全行業(yè)...

ITO靶材應(yīng)用及發(fā)展前景

氧化銦錫（ITO）晶體結(jié)構(gòu)氧化銦錫（ITO）是通過(guò)用錫摻雜In2O3而形成的n型半導(dǎo)體，晶體結(jié)構(gòu)是In2O3結(jié)構(gòu)，其中In2O3結(jié)構(gòu)具有兩種形態(tài)，一種是立方鐵錳礦結(jié)構(gòu)，另一種是六方剛玉結(jié)構(gòu)。立方鐵錳礦結(jié)構(gòu)是常見(jiàn)的In2O3結(jié)構(gòu)，如圖1所示。當(dāng)將氧化錫摻雜到氧化銦中以形成氧化銦錫固溶體時(shí)，一種高度簡(jiǎn)并的n型半導(dǎo)體得以產(chǎn)生，其中一定數(shù)量的In3+位置被Sn4+取代了，導(dǎo)致ITO晶格中出現(xiàn)大量點(diǎn)缺陷，同時(shí)產(chǎn)生大量自由電子，點(diǎn)缺陷和自由電子可充當(dāng)電場(chǎng)下的載流子，因此表現(xiàn)出了優(yōu)異的導(dǎo)電...

AZO靶材 熱壓制備工藝

透明導(dǎo)電氧化物（TransparentConductiveOxide，TCO）是一種在可見(jiàn)光光譜范圍（380nm＜λ＜780nm）透過(guò)率很高且電阻率較低的薄膜材料，由于其良好的光電性能在節(jié)能玻璃、熱窗、電磁屏蔽窗、觸摸屏、液晶面板、太陽(yáng)能電池、發(fā)光二極管等領(lǐng)域，被作為智能窗口材料、加熱導(dǎo)體、電磁屏蔽材料、薄膜電容材料、透明導(dǎo)電電極等而得到廣泛的應(yīng)用。TCO薄膜材料主要有CdO、In2O3、SnO2和ZnO等氧化物及其相應(yīng)的復(fù)合多元化合物半導(dǎo)體材料。電子工業(yè)的飛速發(fā)展對(duì)透明導(dǎo)電...

碳化硼復(fù)合靶板制備及抗彈測(cè)試

近30年來(lái)，復(fù)合裝甲中一般采用金屬與非金屬組成的多層結(jié)構(gòu)，由外層裝甲鋼和背板裝甲組成集體，非金屬材料（陶瓷、增強(qiáng)纖維）充填其中。常見(jiàn)的陶瓷材料有氧化鋁、碳化硅、氧化鋯、碳化硼等，增強(qiáng)纖維有玻璃纖維、碳纖維和芳綸纖維等。下面以碳化硼復(fù)合靶板為例，介紹下其制備及抗彈測(cè)試過(guò)程。復(fù)合靶板結(jié)構(gòu)及封裝復(fù)合裝甲陶瓷靶板示意圖靶板從左到右依次為鋁合金面板、4層玻纖布、鋁合金邊框及陶瓷片、2層玻纖布、鋁合金背板、45號(hào)鋼基板。采用鋁合金邊框?qū)μ沾蓧K進(jìn)行二維約束，再將玻纖布平鋪在陶瓷層的正面和背...